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| 과제번호 | C0010549 |
|---|---|
| 과제명 | 고온/고에너지 이온 주입 공정을 이용한 고효율 4H-SiC Accumulation Power MOSFET 개발 |
| 사업명 | 산학연 공동기술개발 국제사업 |
| 공고명 | 2012년도 산학연 공동기술개발사업 |
| 세부공고명 | 2012년 산학연공동기술개발 국제사업 |
| 주관기관명 | 광운대학교산학협력단 |
| 관리기관명 | 한국산학연협회 |
| 전문기관명 | 한국산학연협회 |
| 정부출연금 | 367,718,000 |
| 과제상태 | 성공 |
| 산업기술분류 | 전기ㆍ전자 >> 반도체소자및 시스템 >> 화합물 소자 |
30141 세종특별자치시 집현중앙로 79, 중소기업기술정보진흥원(TIPA)
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