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| 과제번호 | S2718967 |
|---|---|
| 과제명 | Inner Space를 이용한 고성능 Ga2O3 Schottky Barrier Diode 기술 개발 |
| 사업명 | 산학연협력 신사업 R&D바우처 |
| 공고명 | 2019년도 산학연협력 신사업 R&D바우처 시행계획 공고 |
| 세부공고명 | 2019년도 산학연협력 신사업 R&D바우처 시행계획 공고 |
| 주관기관명 | 시지트로닉스 |
| 관리기관명 | 전북지방중소벤처기업청 |
| 전문기관명 | 중소기업기술정보진흥원 |
| 정부출연금 | 195,000,000 |
| 과제상태 | 완료 |
| 산업기술분류 | 전기ㆍ전자 >> 반도체소자및 시스템 >> 화합물 소자 |
30141 세종특별자치시 집현중앙로 79, 중소기업기술정보진흥원(TIPA)
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